由于 EBL 刻寫精度很高，因此寫滿整個 Wafer 需要比較長的時間，因此電子束電流，電子束定位， 電子束電流分布均一性在長時間內的穩定性就顯得尤為重要，這對大范圍內的圖形制備非常關鍵。

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術使其具有*的電子束穩定性以及電子束定位精度，在大范圍內可以實現圖形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

該圖是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的圖案進行拼接，寫滿整個片子，其拼接精度低于 10 nm.（實驗室數據）。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條，無論半導體行業還是在其它領域

CRESTEC 的電子束光刻產品都發揮了巨大的作用。

主要特點：

1.采用高亮度和高穩定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉控制技術                                      3.采用場尺寸調制技術，電子束定位分辨率（address size)可達 0.0012nm

4.采用軸對稱圖形書寫技術，圖形偏角分辨率可達 0.01mrad

5.應用領域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測量等。

超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列的型號包括：

CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技術參數：

加速電壓：高 130keV

單段加速能力達到 130keV，盡量減少電子槍的長度超短電子槍長度，無微放電

電子束直徑＜1.6nm 小線寬＜7nm

雙熱控制，實現超穩定直寫能力

CABL-UH（130kV）系列

由于較高的加速電壓，EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準確度低于10 nm。您可以根據自己的需要選擇90kV，HOkV或130kV。

光束直徑：<1.6nm①

小線寬：7 nm（在130kV時）

加速電壓：130 kV，110 kV或90 kV

載物臺尺寸：8英寸晶圓（可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓）

我的特色

♦Vacc：大130kV（25-130kV，5kV步進）

♦單級加速能力高達130kV，以小化EOC尺寸

♦無放電電子槍

♦光束直徑：> 1.6nm

♦細線能力：<7nm

♦發射極和陽極之間的靜電透鏡設計為在消隱電極的中心實現非常低的像差和近距離交叉圖像

♦使用雙熱控制器實現超穩定的寫入能力

I規格

電子發射器/

加速電壓TFE（ZrO / W）Z25?130kV

小光束直徑/

小線寬1.6nm / 7.0nm

掃描方式矢量掃描（x，y）（標準）

矢量掃描（r，6），光柵掃描，點掃描（可選）

高級光刻功能（可選）場尺寸調制光刻，軸向對稱圖案光刻

字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（標準）1200pmZi，2400pmZi（可選）

20,000 x20,000點，60,000 x 60，OO點，96,000 x 96，OO點，

像素數240,000x 240，OO點©矢量掃描（標準）

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描（可選）

小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（標準）

0.0012nm@600pmZfield（可選）

尺寸為4、6、8英寸的工件>（其他尺寸和其他形狀的工件可以通過我們的靈活裝置安裝）

■拼接業紜蘇•50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ

重疊精度50nm（3o）@ 600pmZ

CAD軟件CAD（標準），GDS n轉換（可選），DXF轉換（可選）

操作系統Windows