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射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝

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上海伯東是德國 Pfeiffer  真空設(shè)備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機(jī), 比利時(shí) Europlasma 等離子表面處理機(jī) 和美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備等進(jìn)口品牌代理商 .我們真誠期待與您的合作!




質(zhì)譜分析儀,氦質(zhì)譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

供貨周期 一個(gè)月以上

KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 生產(chǎn)過程中需在白玻璃上進(jìn)行鍍膜. 由于國產(chǎn)鍍膜設(shè)備在射頻和光控性能方面的限制, 鍍制過程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象, 材料折射率不高, 品質(zhì)無法保證; 且工藝上需要加熱, 這大大增加了鍍膜時(shí)間. 經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國進(jìn)口 KRi 射頻離子源進(jìn)行輔助鍍膜, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

紅外截止濾光片是一種用于過濾紅外波段的濾鏡, IRCF 利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在白玻璃, 藍(lán)玻璃或樹脂片等光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 其可通過實(shí)現(xiàn)近紅外光區(qū)截止以消除紅外光對(duì)成像的影響, 是高性能攝像頭的組件, 工藝上對(duì)所用的鍍膜設(shè)備有著高的要求.

KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
應(yīng)用領(lǐng)域: 光學(xué)鏡頭
薄膜工藝: IR-CUT
產(chǎn)品類別: 紅外截止濾光片
應(yīng)用方向: 國產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝 KRi 射頻離子源進(jìn)行離子清洗和輔助沉積, 實(shí)現(xiàn) IR-CUT 單面鍍膜

美國 KRi 考夫曼品牌射頻離子源通過輔助鍍膜在白玻璃 IRCF 上進(jìn)行工藝升級(jí), 解決溫漂問題, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長!  射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
 

KRi 射頻離子源


美國 KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生




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