PICOSUN™ R-200高級型ALD系統是ALD科研設備市場， 在全球擁有百用戶。它已經成為一些創新公司和研究機構的研發 工具。

PICOSUN™ R-200高級型靈活的設計確保沉積高質量的ALD薄膜，超靈活的系統配置也能滿足用戶未來的需求和應用。的熱壁設計、*獨立的前驅體管 路和特殊的載氣設計， 使得無顆粒沉積廣泛  應用于平面晶圓、 3D基片和所有納米尺度的  材料。即使在具挑戰性的多孔材料、超高深 寬比和納米顆粒表面沉積， 系統都能實現好的均勻性， 這些都歸功于我們的技術  Picoflow™。Picosun™R-200高級型系統配備功 能強大和易于更換的液體、氣體和固體前驅體源。高效率和擁有的遠程等離子選項  可以沉積金屬而不發生短路，不存在等離子  體損壞的危險。系統可集成手套箱， 超高真空 系統、手動或半自動加載系統， 集群系統， 粉末反應腔， 卷對卷反應腔和各種在線分析系統， 使您的研究變得高效和靈活。 即使將來您改變研究領域， 它依舊會是幫手！

技術參數：

襯底尺寸和類型

•    50-200 mm/片

•    156 mm x 156 mm 太陽能硅片

•    3D 復雜表面襯底

•    粉末與顆粒

•    小批量

•    多孔， 通孔， 高深寬比（HAR）樣品 （最高可達 1:2500）

工藝溫度

•    50 – 500 °C ，等離子450°C (650 °C加熱盤可定制)

沉積材料

•    Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2, AlN, TiN, 以及金屬Pt 或者 Ir

基片加載

•    氣動升降， 手動裝載

•    預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock）

•    半自動機械裝置

•    集群系統的批量裝載（Cassette-to-cassette）

前驅體

•    液態、固態、氣態、臭氧源、等離子體

•    6根獨立源管線， 最多加載12個前驅體源（加 上 Plasma管路， 共7根獨立源管線）

選件

•    集群工具， PICOFLOW™擴散增強器， roll-to-   roll腔室、超高真空兼容、 RGA、N2發生器、尾 氣處理器、定制設計， 手套箱集成（用于惰性 氣體下裝載）