氮化鎵電阻率方阻測試儀介紹：

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙較寬，為3.4eV，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。其次，氮化鎵具有優良的電子遷移率和電子飽和漂移速度，這使得它在射頻和微波電子器件中具有出色的性能，例如5G通信系統中的射頻功率放大器。

氮化鎵晶體的晶格結構可以描述為每個鎵原子周圍環繞著四個氮原子，而每個氮原子周圍也被四個鎵原子包圍。這種結構稱為閃鋅礦結構或者螺旋狀烯結構，它是由鎵原子和氮原子所構成的共價鍵和離子鍵交替排列而成。

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