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專注于非接觸式半導體計量分析技術的開發和生產 ，攻克被國外卡脖子技術。
產品廣泛應用于半導體、光伏、科研以及平板材料測試領域。借助公司*計量分析測試技術，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產和品質監控，提供一整套完整測試和解決方案。
晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，
一、
晶圓電阻率測試儀
硅片方阻測試儀
渦流法低電阻率分析儀
晶錠電阻率分析儀
非接觸少子壽命
參數 | 方阻 | 電阻率（厚度180um） | 方法 | |
探頭量程 | 1-600Ω/¨ | 0.018-10.8 Ω?cm | 渦流法 | |
探頭性能 | 動態重復性 | 靜態重復性 | 示值誤差 | |
1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω?cm） < 0.2% | <0.01% | ±1% | ||
80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω?cm） < 0.3% | ||||
120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω?cm） < 0.5% | ||||
300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω?cm）< 1% | ||||
外形尺寸 | 上探頭Ф20*145mm | 下探頭Ф20*50mm | ||
信號采集 | 采樣率：1500Sps | |||
采樣個數：512點/單次 | ||||
采樣緩存：8級數據記錄緩存 | ||||
數據傳輸：RS232 RS485CANTCP/IP | ||||
傳輸協議：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用戶自定義協議等 | ||||
供電電源 | 24V/1A | |||
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