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當前位置：> 供求商機> HAD-FD-MR-II-磁阻效應實驗儀
本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：利用砷化鎵（ GaAs）霍耳傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律，具有研究性和性實驗的點。
該儀器可用于理科大學的基礎物理實驗和性綜合物理實驗，也可用于演示實驗。
應用本實驗儀可以成以下實驗：
1．用于測定通過電磁鐵的電和磁鐵間隙中磁感應強度的關系，觀測砷化鎵（GaAs）霍耳元件的霍耳效應。
2．用于測定銻化銦（InSb）磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關系。
3．研究銻化銦（InSb）磁阻元件在不同磁感應強度區域的電阻值變化與磁感應強度的關系，行曲線擬合，求出磁阻元件電阻與磁感應強度關系的經驗公式。
4．外接信號發生器，深入研究磁電阻的交性（倍頻效應），觀測其有的物理現象（選做）。
儀器主要參數：
1.雙路直電源
電范圍 0－500ｍA 連續可調，數字電表顯示大小。
電范圍 0－3ｍA 連續可調，供傳感器的作電。
2.數字式毫計
測量范圍 0－0.5T，分辨率0.0001T，準確率為1%。
北京恒奧德儀器儀表有限公司
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