一、設備基本原理與特點
1.基本原理：
熱誘導化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質,半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態上或大或小的形態。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業的典型要求，根據工藝參數，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數毫米。
2.設備特點：
（1）采用臥式、側開門結構，裝、卸料精度高，操作方便；
（2）采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內沉積氣流穩定，壓力波動范圍小；
（3）溫度均勻性好，平均溫度均勻性為±5℃；
（4）采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
（5）全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
（6）安全性能好，采用HMI+PLC+PID程序控制，安全可靠；
（7）對沉積產生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產物能進行有效處理；
（8）多級高效尾氣處理系統，環境友好，能高效收集焦油及副產物，易清理；
（9）采用設計防腐蝕真空機組，持續工作時間長，維修率極低。
二、C2GR16-立式氣相沉積爐(主要技術參數：
| 1 | 編號 | C2GR16 |
| 2 | 產品型號 | VHCgr-20/20/30-1600 |
| 3 | 最高設計溫度（℃） | 1600 |
| 4 | 加熱元件 | 等靜壓石墨 |
| 5 | 加熱功率（kW） | 45 |
| 6 | 冷態極限真空度（Pa） | 6.7x10-3Pa（空爐、冷態、經凈化） |
| 7 | 測溫元件 | 鎢錸熱電偶 |
| 8 | 升溫速率 | 1~20℃/min |
| 9 | 溫度均勻性 | ±5℃（5點測溫，恒溫區1000℃保溫1h后檢測） |
| 10 | 爐膛尺寸（mm） | 200x200x300（WxHxD） |
| 11 | 可通入氣氛 | 1路CH3SiCI3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮氣 |
| 12 | 氣氛流量計 | 4路質量流量計 |
| 13 | 設備外形尺寸（mm） | 1425x1550x1850mm(LxWxH) |
三、C2GR16-立式氣相沉積爐(CVD氣相沉積爐)產品展示圖：
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