1 產品概述：

      化合物半導體沉積系統是一類專門用于制備化合物半導體材料的設備，這些材料通常由兩種或多種元素組成，如GaAs、GaN和SiC等。這些材料因其高功率、高頻率等特性，在信息通信、光電應用以及新能源汽車等產業中占據重要地位。

2 設備用途：

化合物半導體沉積系統的主要用途包括：

1. 晶圓制備：通過外延生長技術，在襯底上沉積高質量的化合物半導體薄膜，用于制造高性能的半導體器件。

2. 芯片設計與制造：支持化合物半導體器件的設計與制造過程，包括射頻功率放大器、高壓開關器件等。

3. 光電器件：用于制造太陽電池、半導體照明、激光器和探測器等光電器件。

4. 微波射頻：在移動通信、導航設備、雷達電子對抗以及空間通信等系統中，化合物半導體沉積系統用于制造射頻功率放大器等核心組件。

3. 設備特點

化合物半導體沉積系統通常具備以下特點：

1. 高精度與均勻性：

      沉積均勻性：能夠實現晶圓級的高沉積均勻性，確保薄膜厚度和質量的一致性。

      精確控制：通過調節沉積參數，如溫度、壓力、氣體流量等，可以精確控制薄膜的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度。

2. 多功能性：

      多種沉積方法：支持化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等多種沉積方法，滿足不同材料和器件的制備需求。

      多種薄膜材料：能夠沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、多組分合金薄膜以及陶瓷或化合物層等多種薄膜材料。

3. 高溫與低溫兼容性：

      高溫沉積：部分設備能夠在高溫下工作，確保薄膜的結晶質量和純度。

      低溫輔助：采用等離子或激光輔助技術，可以降低沉積溫度，保護基體材料不受高溫損傷。

4. 高效與自動化：

      高吞吐量：通過優化設計和自動化控制，提高生產效率，降低生產成本

4  設備參數：

·         晶圓尺寸配置包括 3x2 英寸、6x2 英寸、19x2 英寸等多種規格。

·         具有動態工藝間隙調整功能，高工作溫度可達 1400°C（部分型號）