在半導體器件失效分析與液晶顯示屏（LCD/LED）微納修復領域，激光切割技術的精度、穩定性和材料適應性是實驗成功的關鍵。

天恒科儀自主研發的激光鐳射切割系統，基于多波長激光源與三軸精密控制技術，為科研級微加工提供可重復、高分辨率的解決方案，助力實驗室突破材料與結構的極限分析。

核心技術優勢

多波長激光源與能量調控

波長覆蓋廣譜需求：提供1064 nm（紅外）、532 nm（綠光）、355 nm（紫外3）、266 nm（紫外4）四種激光波長，適配金屬（Al、Cu、Au）、半導體（Si、多晶硅）、絕緣層（SiO?、Si?N?）及聚合物（聚酰亞胺、卡普頓）等材料的光吸收特性。

脈沖能量精確可控：標準模式下單脈沖能量范圍0.25–0.5 mJ（紫外4可達0.25 mJ），高能選項提升至2.2 mJ（紅外/綠光），支持閾值能量匹配，避免熱損傷與材料燒蝕。

2.三軸精密運動控制與微米級加工

分辨率與加工范圍：采用100倍物鏡時，單脈沖最小切割尺寸達**2 μm×2 μm**；50倍物鏡下擴展至50 μm×50 μm，支持180°旋轉定位，滿足跨尺度結構加工需求。

閉環反饋系統：集成X/Y/Z三軸高精度步進電機（定位精度±0.1 μm），結合RS232通信協議，實現與Mitutoyo、Olympus等主流顯微鏡的坐標同步與自動化控制。

3. 風冷架構與模塊化設計

無液冷輕量化：全風冷散熱系統（TEC溫控±0.1°C），免除冷卻水循環需求，整機重量≤4.1 kg，適用于潔凈室與空間受限環境。

即插即用擴展：支持電動偏振器、高分辨XY快門（分辨率0.1 μm）及機器人聯機接口（線長2.4 m），兼容FIB-SEM聯用平臺。

典型應用場景

半導體器件失效分析 金屬層與介質層剝離：通過綠光（532 nm）或紫外（266 nm）激光選擇性移除Al/Cu金屬線路、鈍化層（Si?N?/SiO?）及低k介質，實現失效點（如ITP短路）的非破壞性暴露。 FIB前處理：精準切割樣品截面（<10 μm），減少聚焦離子束（FIB）加工時間，提升TEM樣品制備效率。

顯示器件修復與微調 LCD液晶層修復：利用紫外3（355 nm）激光微燒蝕技術，定位修復像素電極斷路或短路缺陷，避免面板整體更換。 柔性電路加工：對聚酰亞胺基板（PI）進行高精度圖形化切割（線寬≤5 μm），適用于折疊屏TFT層修復。

微納器件制備

MEMS結構加工：通過紅外（1064 nm）激光實現硅基微懸臂梁與空腔的亞微米級成型。

光學器件微調：在二氧化硅（SiO?）或氮化硅（Si?N?）波導表面刻寫光柵結構（周期≥1 μm），支持光子芯片原型開發。

關鍵性能參數

系統配置與選型建議

標準配置：激光頭（含風冷模塊）、SMPS電源（100–240 V）、6.5 cm×7.5 cm LCD遙控器、RS232通信線纜。

高能選配：2.2 mJ脈沖能量模塊（紅外/綠光）、高分辨快門（0.1 μm步進）、電動偏振器。

顯微集成方案：可選配Motic AE31或Olympus BX53顯微鏡，實現激光加工與實時觀測一體化。

定制化服務：支持波長組合定制（如TriLite紫外3模塊：1064+532+355 nm）、特殊材料工藝開發（如GaN或ITO透明導電層加工）。

天恒科儀，科技創新，