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長期以來，亞埃級電子顯微分辨率一直局限于像差校正電子顯微鏡，它是理解物質的原子結構和性質的有力工具。
近日，美國伊利諾伊大學香檳分校(University of Illinois Urbana–Champai)Kayla X. Nguyen，Chia-Hao Lee，Pinshane Y. Huang等，阿貢國家實驗室(Argonne National Laboratory)Yi Jiang等，在Science上發文，報道了未校正掃描透射電子顯微鏡scanning transmission electron microscope (STEM) 中的電子相干衍射成像，其深亞埃空間分辨率低至0.44埃，超過了像差校正工具的常規分辨率，并與它們的最高圖像分辨率相媲美。
Achieving sub-0.5-angstrom-resolution ptychography in an uncorrected electron microscope在未校正的電子顯微鏡中，獲得低于0.5埃分辨率的圖像。
圖1. 未校正和畸變校正的STEMs中扭曲雙層WSe2的ADF-STEM
圖2. 未校正顯微鏡下扭曲雙層WSe2
圖3. 亞埃分辨率的電子相干衍射模擬
圖4. 利用像差技術優化電子相干衍射探針
在廣泛使用的商業顯微鏡中，演示了二維轉角材料，遠遠超過了先前未校正的STEM分辨率(1到5埃)。還進一步展示了幾何像差如何為劑量有效的電子成像創造優化的結構光束。研究表明，對于深亞埃分辨率，不再需要昂貴的像差校正器。
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切割、修整、校正、 給半導體電路做標記
薄膜(絕緣膜) 清潔與加工、液晶彩色濾光器的修復(校正錯誤)。
還可用作光學觀察剖面圖以便探針分析半導體故障。
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* 需要紅外光源和紅外攝像機。
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參考文獻： 中國光學期刊網
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