石墨烯中Dirac磁激子的紅外納米成像的核心——attocube低溫納米位移臺(tái)
研究動(dòng)態(tài):
磁場(chǎng)對(duì)量子材料中電子的運(yùn)動(dòng)有著深遠(yuǎn)的影響。強(qiáng)磁場(chǎng)下的二維電子系統(tǒng)具有量子化的霍爾電導(dǎo)率、手性邊緣電流的集合模式,被稱為磁等離子體和磁激子。到目前為止,在電中性樣品中產(chǎn)生這些集合模式并以其固有的納米長(zhǎng)度尺度對(duì)其進(jìn)行成像仍挑戰(zhàn)性。
近日,美國(guó)紐約州立石溪大學(xué)(Stony-Brook University) Michael Dapolito,Xu Du & Mengkun Liu等,在Nature Nanotechnology上發(fā)文,報(bào)道了在自然長(zhǎng)度尺度上,實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到了傳播的磁激子極化激元,并報(bào)道了它們?cè)诮娭行允┲械拇艌?chǎng)可調(diào)色散。并對(duì)這些集體模式及其相關(guān)的納米電光響應(yīng)進(jìn)行成像。
研究進(jìn)展:
本文在低溫近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新性。在高達(dá)7T磁場(chǎng)以及納米尺度下,成功觀測(cè)到了二維材料的近場(chǎng)響應(yīng),實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁極化子的探索和調(diào)控。圖1(a)展示的是實(shí)驗(yàn)裝置示意圖,該裝置內(nèi)置于一個(gè)可以提供低溫和強(qiáng)磁場(chǎng)的系統(tǒng)中(OPTICOOL, QUANTUM DESIGN),能夠同時(shí)進(jìn)行近場(chǎng)散射振幅(S)和光電流(I)的測(cè)試。在本成果中,AFM Probe被固定在一組可在xyz方向上實(shí)現(xiàn)5 mm精確位移的納米位移臺(tái)上,其實(shí)現(xiàn)的精確定位及與激光的精確耦合是測(cè)試的核心與關(guān)鍵。這種精確位移得益于德國(guó)attocube 公司提供的納米級(jí)精度位移的納米位移臺(tái)(ANP101,attocube systems AG),其可在低溫和強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境中提供納米級(jí)精度位移。隨后,在近電荷中性石墨烯中,展示了在場(chǎng)調(diào)諧0→1朗道能級(jí)Landau levels、 LL躍遷區(qū)域的納米紅外圖像(下圖2)。圖3結(jié)果展示了不同磁場(chǎng)大小下狄拉克磁激子DiMEs的測(cè)量結(jié)果。圖4則展示了依賴于磁場(chǎng)的狄拉克磁激子DiMEs色散關(guān)系的結(jié)果。
圖1:要200K溫度時(shí),六方氮化硼hexagonal boron nitride,hBN封裝石墨烯后,磁場(chǎng)相關(guān)掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡magneto scanning near-field optical microscope,m-SNOM,以及近場(chǎng)光電流狄拉克磁激子Dirac magnetoexcitons,DiME測(cè)量
圖2:在近電荷中性石墨烯中,在場(chǎng)調(diào)諧0→1朗道能級(jí)Landau levels,LL躍遷區(qū)域的納米紅外圖像。
圖3:狄拉克磁激子DiMEs的磁場(chǎng)調(diào)諧。
圖4:依賴于磁場(chǎng)的狄拉克磁激子DiMEs色散。
Attocube 低溫納米位移臺(tái)
attocube公司生產(chǎn)的位移器設(shè)計(jì)緊湊,體積小巧,種類包括線性XYZ線性位移器、大角度傾角位移器、360度旋轉(zhuǎn)位移器和掃描器,并以穩(wěn)定而優(yōu)異的性能,原子級(jí)定位精度,納米位移步長(zhǎng)和厘米級(jí)位移范圍受到科學(xué)家的肯定和贊譽(yù)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于普通大氣境中,包括超高真空環(huán)境(5E-11mbar)、極低溫環(huán)境(10 mK)和強(qiáng)磁場(chǎng)中(31 T)。
圖5 attocube低溫強(qiáng)磁場(chǎng)位移器,掃描器
attocube低溫位移臺(tái)技術(shù)特點(diǎn)如下:
參考文獻(xiàn):
[1]. Dapolito, M., Tsuneto, M., Zheng, W. et al. Infrared nano-imaging of Dirac magnetoexcitons in graphene. Nat. Nanotechnol. (2023).
https://doi.org/10.1038/s41565-023-01488-y
https://www.nature。。com/articles/s41565-023-01488-y
相關(guān)產(chǎn)品
1、mK極低溫納米精度位移臺(tái)http://sitka.cn/st166724/product_33653103.html
2、低溫強(qiáng)磁場(chǎng)納米精度位移臺(tái)http://sitka.cn/usermanage/default.aspx?pro_promanage
3、室溫納米精度位移臺(tái)-attoECShttp://sitka.cn/st166724/product_16858950.html
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。