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日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀
日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀

貨物所在地:四川成都市

更新時(shí)間:2025/2/27 9:34:07

訪問次數(shù):8

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中國(guó)四川省成都市郫都區(qū)創(chuàng)智東二路58號(hào)綠地銀座A座1118
網(wǎng)址:
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供應(yīng)簡(jiǎn)介
日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀-成都藤田科技提供
產(chǎn)品信息 特 長(zhǎng) 薄膜到厚膜的測(cè)量范圍、UV~NIR光譜分析 高性能的低價(jià)光學(xué)薄膜量測(cè)儀 藉由反射率光譜分析膜厚 完整繼承FE-3000機(jī)種90%的強(qiáng)大功能 無復(fù)雜設(shè)定,操作簡(jiǎn)單,短時(shí)...


詳細(xì)介紹

日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀-成都藤田科技提供

日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀


產(chǎn)品信息

特殊長(zhǎng)度

● 支持從薄膜到厚膜的各種薄膜厚度

● 使用反射光譜分析薄膜厚度

● 實(shí)現(xiàn)非接觸、非破壞的高精度測(cè)量,同時(shí)體積小、價(jià)格低

● 簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作!任何人都可以輕松測(cè)量薄膜厚度

● 通過峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法、優(yōu)化法等,可以進(jìn)行多種膜厚測(cè)量。

● 非線性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析(n:折射率,k:消光計(jì)數(shù))。

測(cè)量項(xiàng)目

反射率測(cè)量

膜厚分析(10層)

光學(xué)常數(shù)分析(n:折射率,k:消光計(jì)數(shù))

測(cè)量對(duì)象

功能膜、塑料
透明導(dǎo)電膜(ITO、銀納米線)、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、膠粘劑、保護(hù)膜、硬涂層、防指紋, 等等。

半導(dǎo)體
化合物半導(dǎo)體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、藍(lán)寶石等。

表面處理
DLC涂層、防銹劑、防霧劑等。

光學(xué)材料
濾光片、增透膜等。

FPD
LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有機(jī)膜、封裝材料)等

其他
HDD、磁帶、建筑材料等


原理

測(cè)量原理

大冢電子利用光學(xué)干涉儀和自有的高精度分光光度計(jì),實(shí)現(xiàn)非接觸、無損、高速、高精度的薄膜厚度測(cè)量。光學(xué)干涉測(cè)量法是一種使用分光光度計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)獲得的反射率來確定光學(xué)膜厚的方法,如圖 2 所示。以涂在金屬基板上的薄膜為例,如圖1所示,從目標(biāo)樣品上方入射的光被薄膜表面(R1)反射。此外,穿過薄膜的光在基板(金屬)和薄膜界面(R2)處被反射。測(cè)量此時(shí)由于光程差引起的相移所引起的光學(xué)干涉現(xiàn)象,并根據(jù)得到的反射光譜和折射率計(jì)算膜厚的方法稱為光學(xué)干涉法。分析方法有四種:峰谷法、頻率分析法、非線性最小二乘法和優(yōu)化法。

日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀

規(guī)格

規(guī)格

類型薄膜型標(biāo)準(zhǔn)型
測(cè)量波長(zhǎng)范圍300-800nm450-780nm
測(cè)量膜厚范圍
(SiO 2換算)
3nm-35μm10nm-35μm
光斑直徑φ3mm / φ1.2mm
樣本量φ200×5(高)mm
測(cè)量時(shí)間0.1-10s內(nèi)
電源AC100V ± 10% 300VA
尺寸、重量280 (W) x 570 (D) x 350 (H) 毫米,24 公斤
其他參考板,配方創(chuàng)建服務(wù)


設(shè)備配置

光學(xué)家譜

日本Otsuka大塚FE-300光譜分析膜厚量測(cè)儀  


軟件畫面

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