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量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800
量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。
產品特性 / Product characteristics
除單腔之外,另可搭載有磁場ICP(ISM)或NLD等離子源、去膠腔體、CCP腔體等對應多種刻蝕工藝。
為實現制程再現性及安定性搭載了星型電極及各種調溫技能。
擁有簡便的維護構造,實現downtime短化,提供清洗、維護及人員訓練服務等綜合性的售后服務體制。
專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。
產品應用 / Product application
化合物(LED或LD、高頻器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。
金屬配線或層間絕緣膜(樹脂類)、門電極加工工藝
強電介質材料或貴金屬刻蝕。
磁性體材料加工。
高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H
高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料(強電介質層、貴金屬、磁性膜等)的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。
產品特性 / Product characteristics
有磁場ICP(ISM)方式-可產生低圧?高密度plasma、為不揮發性材料加工的設備。
可提供對應從常溫到高溫(400ºC)的層積膜整體刻蝕、硬掩膜去除的刻蝕解決方案。
通過從腔體到排氣line、DRP為止的均勻加熱來防止沉積物。
該設備采用可降低養護清洗并抑制partical產生的構造和材料及加熱機構,是在不揮發性材料的刻蝕方面擁有豐富經驗的量產裝置。
實現了長期的再現性、安定性
產品應用 / Product application
FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.
研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570
研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570,是搭載了愛發科獨chuang的磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。
產品特性 / Product characteristics
NLD用于與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度等離子體的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。
高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不純物的多種玻璃加工,在形狀或表面平滑性方面有優異的刻蝕性能。
石英及玻璃作為厚膜resist mask時的也可實現深度刻蝕(100μ m以上)。
可實現高速刻蝕(石英>1μ m/min、Pyrex>0.8μ m/min)
可追加cassette室。
產品應用 / Product application
光學器件(光衍射格子、変調器、光開關等等)、凹凸型微透鏡。流體路徑作成或光子學結晶。
干法刻蝕設備 APIOS NE-950EX
對應LED量產的干法刻蝕設備?NE-950EX?相對我司以往設備實現了140%的生產力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發科獨自開發的星型電極的干法刻蝕設備。
產品特性 / Product characteristics
4inch晶圓可放置7片同時處理,6inch晶圓可實現3片同時處理,小尺寸晶圓方面,2inch晶圓可實現29片、3英寸可對應12片同時處理。
搭載了在化合物半導體領域擁有600臺以上出貨實績的有磁場ICP(ISM)高密度等離子源。
高生產性(比以前提高140%)。
為防止RF投入窗的污染待在了愛發科獨自開發的星型電極。
*貫徹Depo對策,實現了維護便利、長期穩定、高信賴性的硬件。
擁有豐富的工藝應用的干法刻蝕技術(GaN藍寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體)。
豐富的可選機能。
產品應用 / Product application
對應LED的GaN、藍寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設備
對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700
對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產用干法刻蝕裝置。(此愛發科獨chuang的NLD技術設備可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子)
產品特性 / Product characteristics
• 在潔凈房內作業可擴張為雙腔。(可選配腔室:NLD、有磁場ICP、CCP或者去膠室)
• NLD為時間空間可控的等離子,因此設備干法清潔容易。
• 腔體維護簡便。
• 從掩模刻蝕到石英、玻璃刻蝕,可提供各類工藝解決方案。
• 專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。
產品應用 / Product application
• 光學器件(折射格子、光波導、光學開關等等)、凹凸型微透鏡。
• 流體路徑作成或光子學結晶。
批處理式自然氧化膜去除設備 RISE-300
批處理式自然氧化膜去除設備RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等難以去除的自然氧化膜的批處理式預清洗裝置。可處理200mm,300mm尺寸晶圓。
產品特性 / Product characteristics
• 高產率以及低CoO
• 良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現性
• 干法刻蝕
• Damage-Free(遠端等離子、低溫工藝)
• 自對準接觸電阻僅為濕法的1/2
• 靈活的裝置布局
• 高維護性(方便的側面維護)
• 300mm晶圓批處理:50枚/批
產品應用 / Product application
• 自對準接觸形成工藝前處理
• 電鍍工藝前處理
• 晶膜生長前處理
• Co/Ni自對準多晶硅化物的前處理
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