該技術方案得益于精密光學設計、納米級加工的集成式光學系統，兼容于常規金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規體視顯微鏡（伽利略型及格林諾夫型）、常規工具顯微鏡、常規影像測量儀、超景深顯微鏡、大型龍門工業顯微鏡（MAX120寸）。技術方案可采用結構光、近紅外波段、中遠紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物，對客戶產品進行無損檢查。其微米/納米級物體內部無損檢測技術在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復消色差紅外檢測、可見光/紅外對位檢測等應用。

MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案

半導體（硅基）

初代半導體是單質材料，因此也被稱為“元素半導體”。世界上首只晶體管是由鍺（Ge）生產出來的，但鍺的非必要能耗與器件耗損，以及儲量和價格，相較硅來說不具優勢。硅（包括硅基）器件占到了銷售的初代半導體產品95%以上。

國內前三晶圓代工廠，12寸晶圓無損穿透案例：

                                                      常規可見光顯微鏡拍攝                                MIR200近紅外顯微鏡拍攝

MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案

MIR全系列工業顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進行無損觀察檢測，檢測效果好、速度快，大幅提升了客戶效率。本系列顯微鏡可根據客戶要求定制濾片、鏡頭、相機、平臺，可搭配自動傳動設備。

MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無損紅外透視顯微解決方案

初代半導體（硅基）

薄膜型黏晶材料主要應用于堆疊式晶片級封裝體（Stacked Chip Scale Package,SCSP）中，對于兩種黏晶材料DAF(Die Attach Film)與FOW(Film Over Wire)，公司紅外穿透顯微鏡結合特殊觀察方式，能夠輕松穿透兩種黏晶材料。

國內早期LED制造企業之一，6寸晶圓無損穿透硅片背面及DAF膜案例：

                                       無效檢測                                    無效檢測                                 MIR200穿透DAF/FOW薄膜

半導體（硅基）圖片賞析

已交付近50家國內客戶用于硅（硅基）產品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

半導體（硅基）圖片賞析

已交付近50家國內客戶用于硅（硅基）產品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

紅外金相顯微鏡應用范圍：

1.封裝芯片,晶圓級CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,

透過硅觀察IC芯片內部；IR近紅外線顯微鏡,可以對SiP（System in Package）三維組裝,CSP（Chip Size Package）等用可視觀察無法看到的領域進行無損

檢查和分析，正置紅外顯微鏡,專用紅外硅片檢測顯微鏡,硅襯底的CSP觀察。

2.Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無損檢測,LED LD芯片出光面積

測量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內部缺陷，焊點檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標記重合誤差無損測量,可以定制

開發軟件模塊快速自動測量重合誤差,硅基半導體Wafer,碲化鎘CdTe ,

碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無損紅外檢測,太陽能電池組件綜合缺陷，

紅外檢測,LCD RGB像元面積測量

3.IR顯微鏡可用于透過硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無損分析,通過

紅外顯微鏡對硅片穿透可觀察晶體生長過程中的位錯,隱裂痕,芯片劃片

封裝的不良狀況無損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過

600μm的硅片,觀察IC芯片內部,觀察內部線路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也

應用于包括產品晶圓生產內部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對準（薄鍵合電路）