產地類別 | 進口 | 應用領域 | 能源 |
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價格區間 | 面議 | 測量模式 | 咨詢光焱科技專家 |
特征
●掃描光生電流的分布
●掃描光電壓分布
●掃描開路電壓和短路電流的分布
●分析表面污染
●分析短路區域的 分布
●識別和分析微裂紋區域
●分析少數載子擴散長度的分布(選用功能)
應用
OPV光響應電流分布圖
分辨率為 50 µm 的非均勻性分析
母線/柵極縱橫比檢測(橫截面分析)
高重復性(6次重復)
規格
項目 | 參數說明。 |
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功能 | A。利用能量高于半導體帶隙的波長激光束在半導體中產生電子空穴對,探索耗盡區對內部電流變化的影響,了解和分析各種缺陷分布,作為工藝改進的方向。 b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。 C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。 d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。 e.能夠分析表面污染。 F。能夠分析短路區域的分布。 G。能夠識別和分析微裂紋區域。 H。能夠分析少數載流子擴散長度的分布(可選)。 |
激勵源 | 405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光 |
掃描區域 | ≧100mm×100mm |
激光光斑尺寸 | 接近TEM00模式點 |
測繪分辨率 | A。掃描分辨率 ≤ 50 µm b.掃描分辨率可通過軟件設置 |
測繪時間 | <4分鐘(100mm×100mm,分辨率50um) |
方面 | 60厘米*60厘米*100厘米 |
軟件 | A。 LBIC 3D 可視化 b. 2D 橫截面分析(電極縱橫比) c.光電流響應分布分析(與長波長激光源結合) d.數據保存和導出功能 |