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化工儀器網>產品展廳>行業專用儀器及設備>其它行業專用儀器>其它專用儀器>LSD4 雷射掃描缺陷圖譜儀

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LSD4 雷射掃描缺陷圖譜儀

具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 光焱科技股份有限公司
  • 品牌 Enlitech
  • 型號 LSD4
  • 產地
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2024/4/2 10:25:25
  • 訪問次數 1489

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光焱科技股份有限公司介紹

 

Enlitech光焱科技創建于2009年,專精量子效率(Quantum Efficiency/ SR/ IPCE)測量,從事科學儀器的研發、客制化生產并提供客戶一站式解決方案及服務。

 

  • R&D 創新研發、技術整合、客戶端解決方案

 

在日新月異的太陽能光伏/半導體/材料科學/化學領域中,為客戶預先提供“下一步”解決方案,幫助客戶實現在科學研究、技術和產業領域的專業和創新突破。我們擁有光學技術、機構設計、電子與電控技術整合、軟體與資料庫設計開發,根據產業動態、豐富業務經驗,為客戶提供產品與專案企劃、咨詢需求到系統運營的整合性服務。成功協助客戶在半導體材料、太陽能電池、鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite Solar Cell)、新型材料研究及影像傳感器(CMOS Sensor)、相機(含手機相機、工業相機及科學及相機)等領域的研發上取得許多重大突破并獲得*成果。

 

  • 鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite Solar Cell)應用服務

 

擴展鈣鈦礦太陽能電池(Perovskite Solar Cell, PSC)應用領域、提高轉換效率,是近年前沿研究的主要課題。近十年,鈣鈦礦太陽能電池光電轉換效率的成長紀錄不斷刷新世界紀錄,目前已達到23.3%,成為太陽能電池領域的新秀!由于鈣鈦礦太陽電池具有高度不穩定性、衰減速率快等特性,成為研究人員面臨的挑戰。我們針對鈣鈦礦太陽能電池的特性,提供涵蓋設計、研發、軟體、測樣、分析管理等測量儀器與整合方案,讓客戶能有效、準確地測出鈣鈦礦太陽能電池的轉換效率,為客戶研究創新帶來優勢。

 

  • 多元產業應用服務

 

光焱科技將光電檢測技術,延伸至半導體、材料科學、LED發光材料、航太應用及生醫領域,提供專案研發和實驗室儀器配套應用的制造、整合、測試和維護管理供應鏈服務。服務亦涵蓋標定校正設備的客制研發,為科學研究、檢測認證、新產品開發、制造生產提供完整可靠的一站式解決方案。

技術與維護服務

 

光焱科技自2012年起陸續在大陸、日本、美國、中東及印度建立銷售通路及售后服務據點,我們致力于提供給客戶完整的檢測分析工具,即時提供合適的解決方案,協力科學研究、助力產業升級創新。我們的標準化產品及專案能依據客戶需求進行調整和擴展,服務分為四大類別:

 

*專案解決方案:依據客戶需求進行新產品研發/產品升級/系統整合等服務。

 

*One-stop-shop 一站式統合服務:涵蓋多元的廠牌合作服務。

 

*維護管理服務:提供維修及產品健檢管理服務。

 

*快速支援服務:涵蓋售前售后客服支援、技術支援、科研支援服務。

 

QE量子效率測試儀,3A

產地類別 進口 應用領域 能源
價格區間 面議 測量模式 咨詢光焱科技專家

特征

掃描光生電流的分布

掃描光電壓分布

掃描開路電壓和短路電流的分布

分析表面污染

分析短路區域的 分布

識別和分析微裂紋區域

分析少數載子擴散長度的分布(選用功能)

應用

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螢幕擷取畫面-2024-03-24-103017.webp螢幕擷取畫面-2024-03-24-103017.webp

螢幕擷取畫面-2024-03-24-103232.webp

OPV光響應電流分布圖

螢幕擷取畫面-2024-03-24-104324.png       OPV-Photoresponse-Current-Distribution-Map2.png

分辨率為 50 µm 的非均勻性分析

螢幕擷取畫面-2024-03-24-104655.png

母線/柵極縱橫比檢測(橫截面分析)

螢幕擷取畫面-2024-03-24-105119.png

高重復性(6次重復)

螢幕擷取畫面-2024-03-24-105357.png

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                                        螢幕擷取畫面-2024-03-24-105516.png

規格

項目參數說明。
功能A。利用能量高于半導體帶隙的波長激光束在半導體中產生電子空穴對,探索耗盡區對內部電流變化的影響,了解和分析各種缺陷分布,作為工藝改進的方向。

b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。

C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。

d.能夠掃描開路電壓和短路電流的分布。

e.能夠分析表面污染。

F。能夠分析短路區域的分布。

G。能夠識別和分析微裂紋區域。

H。能夠分析少數載流子擴散長度的分布(可選)。
激勵源
405 ±10nm 激光
520 ±10nm 激光
635 ±10nm 激光
830 ±10nm 激光
掃描區域≧100mm×100mm
激光光斑尺寸接近TEM00模式點
測繪分辨率
A。掃描分辨率 ≤ 50 µm
b.掃描分辨率可通過軟件設置
測繪時間<4分鐘(100mm×100mm,分辨率50um)
方面60厘米*60厘米*100厘米
軟件A。 LBIC 3D 可視化
b. 2D 橫截面分析(電極縱橫比)
c.光電流響應分布分析(與長波長激光源結合)
d.數據保存和導出功能








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