ICP等離子刻蝕機
參考價 | ¥ 88000 |
訂貨量 | ≥1件 |
具體成交價以合同協議為準
- 公司名稱 上海沛沅儀器設備有限公司
- 品牌 PLUTOVAC
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2024/12/16 14:03:36
- 訪問次數 1247
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類別 | ICP刻蝕 | 顏色 | 白色 |
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電源 | 220V |
ICP干法刻蝕是一種常見的微納加工技術,其原理是利用高頻電場將氣體離子化,使其形成等離子體,然后將等離子體引入反應室中,利用反應室內的化學反應對材料進行腐蝕或沉積。 在ICP干法刻蝕中,高頻電場的作用是將氣體分子電離,形成電子和離子。離子在電場的作用下加速運動,并與反應室內的氣體分子發生碰撞,進而形成等離子體。等離子體具有高溫、高能量的特性,可以對材料進行高效率的加工。 ICP干法刻蝕的特點是能夠實現高精度、高速度和高均勻度的刻蝕,且對材料的損傷較小,常用于微電子器件制造、光學器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蝕時,應選擇合適的氣體、功率和反應室溫度等參數,以避免對材料造成負面影響。
ICP等離子刻蝕機WINETCH是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統。作為一個多功能系統,它通過優化的系統設計與靈活的配置方案,獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小,專業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全,且工藝穩定重復性很好。
ICP等離子刻蝕機WINETCH產品特點:
● 4/6/8英寸兼容,單片晶圓真空傳輸系統
● 低成本高可靠,適合研發及小規模生產
● 設備結構簡單,外形小
● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕
● 優異的刻蝕均勻性,刻蝕速率快
●滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統
● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小
● 斷面輪廓可控性高,刻蝕表面平整光滑
ICP等離子刻蝕機技術參數:
晶圓尺寸:4/6/8英寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.
適用領域:化合物半導體,MEMS、功率器件、科研等領域