QSense® Omni 耗散型石英晶體微天平

QCM-D技術的開發

瑞典百歐林科技有限公司與查爾姆斯理工大學是QCM-D技術的開發，QSense®為納米級表界面相互作用跟蹤和表征提供耗散型石英晶體微天平。QSense® 耗散型石英晶體微天平通量高、易于使用，可以為您提供可重復的和有深度的數據。這有助于您了解反應的基本原理過程、提前預測真實結果以及優化產品和流程，以適應真實的反應條件。擁有一臺QSense耗散型石英晶體微天平，可以使您和您的團隊一直處于科學進步和技術創新。

QSense® Omni是我們新一代QCM-D耗散型石英晶體微天平，現有的技術加上幾十年對表界面相互作用的深度理解，QSense® Omni可以為您提供更清晰的結果和更順暢的實驗過程。QSense® Omni可以更快展示您獨到的見解，并基于高度可控的測量結果做出更可靠的結論。

QSense® Omni 適用場景：

您需要簡單易用

• 開箱即用的解決方案

• 開啟工作所需的一切皆已包含

您需要靈活性

• 自由構建滿足您現在和將來需求的系統

您需要自動化

• 減少操作時間

• 提高可重復性

您重視數據質量

• 從全新一代QCM-D儀器中獲取值得信任的結果

QSense® Omni 技術特點：

• 自動樣品切換

• 自動運行QC程序

• 直接注入液體

• 快速液體交換

• 芯片自動鎖緊

• 集成樣品加熱艙

• 各通道流速獨立調節

• 實時編輯程序

三個選用QSense® Omni的原因：

數據解析更容易

信號處理和快速可重復的液體交換，QSense® Omni為您提供清晰、簡潔的數據。數據解析和分析更為輕松自信。

實驗過程更順暢

得益于直觀的設計、智能的工作流程和靈巧的自動化，成功進行QCM-D實驗并獲取可信和可重復的結果變得輕松簡單。生產力大幅提高，工作更有效率。

與研究共同成長

功能智能，QSense® Omni為科學進步和未來創新量身定制。升級到更多通道或增加QSense Orbit來構建更多元化的實驗設置和補充測量，您可以輕松跨越入門級門檻，讓QSense® Omni與您的研究共同成長。

QSense芯片——多種芯片表面可選：

QSense芯片是QCM-D測量的核心。芯片涂層的選擇對于您的實驗至關重要。百歐林科技可提供超過我們提供50種標準芯片涂層和200多種定制芯片，涵蓋各種材料，包括金屬、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂層和標準化土壤。您可以從種類繁多的芯片中找出哪種芯片材料和涂層。也可以根據您的需求讓百歐林為您量身定制，我們可以讓您盡可能接近真實的反應條件。

百歐林科技開發和生產的芯片，經過嚴格的驗證。QSense芯片將為您的QSense系統提供穩定、可靠和可重復的數據。芯片建議一次性使用。

QSoft Omni 軟件：

一同領略 QSoft Omni 軟件的風采吧！一個全新的、用戶友好的軟件，旨在幫助您完成實驗設置并成功獲得實驗數據。當您在準備實驗時，QSoft Omni 軟件會在后臺進行QC程序，確保測量條件可靠。QSoft Omni幫您采集數據，而Dfind使您的數據分析更輕松。

圖片 2：QSoft Omni 軟件

QSoft Omni 軟件主要特點：

•    引導式工作流程帶領您完成實驗設置

•    后臺自動運行QC程序，確保實驗結果準確

•    拖放界面和實時編輯使程序開發變得更為輕松

•    事件日志自動記錄自動操作和用戶注釋

QSense® Omni模塊及配件——探索更多：

瀏覽以下可選配模塊，擴展您的實驗設置和可能性。

QSense濕度模塊

用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。

QSense窗口模塊
該系統可以在芯片表面上同時進行QCM-D測量和顯微鏡觀察。您還可以進行對光或輻射敏感的實驗。

QSense 電化學模塊
想在同一表面上同時進行QCM-D和電化學測量？該模塊支持多種電化學方法，如循環伏安法和電化學阻抗測量，可探索如聚合物的界面行為、靜電相互作用、腐蝕性能等。

QSense電化學窗口模塊

該模塊可在芯片表面上同時進行QCM-D測量和光學、電化學測試，該模塊通常用于光伏等應用。

QSense開放模塊

開放模塊無需管路，樣品需求量低。您可以直接移液少量液體確保覆蓋芯片即可。該模塊可進行樣品揮發性、外部觸發反應（如光誘導反應和化學觸發反應）等研究。

QSense濕度模塊

用于測量芯片上涂覆的薄膜對蒸氣的吸收和釋放。

QSense ALD（原子層沉積）樣品架

適用于真空或氣相環境測量。

QSense PTFE流動模塊

適用于對鈦材料敏感的測量體系。類似于標準流動模塊(QFM 401)，但流路部分的鈦被PTFE替換。

QSense® Omni技術參數：

讓我們深入了解下QSense Omni的技術性能，您還可以將這些參數與其他QSense儀器進行比較。

所有規格可能會在未經通知的情況下更改

b. 溫度穩定性取決于外部環境對樣品艙的加熱或者制冷。如果由于氣流或熱源等原因，室溫變化超過±1℃，可能無法達到目標的溫度穩定性。

c. 數據測試條件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去離子水中測量，流速為20µl/min，數據采集速率為每秒1個數據點，測量時長1小時。用于分析的數據間隔為2分鐘。等待超過1小時可以獲得更好的穩定性。

d. 重量不包括外部電源。

QSense® Omni實際性能：

更高的采樣速率不可避免地會產生更高的噪音和提高檢出限。通過明顯降低噪音水平，QSense® Omni極大地降低了檢出限。下面的圖表描述了QSense® Omni在三種不同采樣間隔下的檢測限，可以看出在高采樣頻率下檢出限也可以做到非常低。下面的圖表列出了每種采集模式下的采集速度和檢出限（LOD）。

表1 a：性能特征

圖2a：每種采集模式下的采集速度和檢出限（LOD）。不同的采樣間隔下的理論檢測限（LOD）。檢測限設定為頻率噪音水平的3倍。

a 實驗條件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C溫度下、流量15μL/min的去離子水中使用一個測量通道進行測量。每種測量模式測量5分鐘，根據1分鐘時間范圍內采集數據點的標準偏差，統計確定噪音數據。