儀器描述特點：

 · 易于安裝

· 基于視窗結構的軟件，很容易操作

· *的光學設計，以確保能發揮出zei佳的系統性能

· 能夠自動的以0.01度的分辨率改變入射角度

· 高功率的DUV－VIS光源，能夠應用在很寬的波段內

· 基于陣列設計的探測器系統，以確保快速測量

· zei多可測量12層薄膜的厚度及折射率

· 能夠用于實時或在線的監控光譜、厚度及折射率等參數

· 系統配備大量的光學常數數據及數據庫

· 對于每個被測薄膜樣品，用戶可以利用*的TFProbe3.0軟件功能選擇使用NK數據庫、也可以進行色散或者復合模型（EMA）測量分析；

· 三種不同水平的用戶控制模式：專家模式、系統服務模式及初級用戶模式

· 靈活的專家模式可用于各種*的設置和光學模型測試

· 健全的一鍵按鈕(Turn－key)對于快速和日常的測量提供了很好的解決方案

· 用戶可根據自己的喜好及操作習慣來配置參數的測量

· 系統有著全自動的計算功能及初始化功能

· 無需外部的光學器件，系統從樣品測量信號中，直接就可以對樣品進行準確的校準

· 可京密的調節高度及傾斜度· 能夠應用于測量不同厚度、不同類型的基片

· 各種方案及附件可用于諸如平面成像、測量波長擴展、焦斑測量等各種特殊的需求

· 2D和3D的圖形輸出和友好的用戶數據管理界面。

系統配置：

· 型號：SE200BM-M300· 探測器：陣列探測器

· 光源：高功率的DUV-Vis-NIR復合光源

· 指示角度變化：手動調節

· 平臺：ρ-θ配置的自動成像

· 軟件：TFProbe 3.2版本的軟件

· 計算機：Inter雙核處理器、19”寬屏LCD顯示器

· 電源：110–240V AC/50-60Hz，6A

· 保修：一年的整機及零備件保修

規格： 

· 波長范圍：250nm到1000 nm

· 波長分辨率: 1nm· 光斑尺寸：1mm至5mm可變

· 入射角范圍：0到90度

· 入射角變化分辨率：5度 間隔

· 樣品尺寸：zei大直徑為300mm

· 基板尺寸：zei多可至20毫米厚

· 測量厚度范圍*：0nm?10μm

· 測量時間：約1秒/位置點 

· 準確度*：優于0.25％

· 重復性誤差*：小于1 ?

選項:                  

· 用于反射的光度測量或透射測量

· 用于測量小區域的微小光斑

· 用于改變入射角度的自動量角器

· X－Y成像平臺(X-Y模式，取代ρ-θ模式)

· 加熱/致冷平臺

· 樣品垂直安裝角度計

· 波長可擴展到遠DUV或IR范圍

· 掃描單色儀的配置

· 聯合MSP的數字成像功能，可用于對樣品的圖像進行測量

應用:                 

· 半導體制造（PR，Oxide, Nitride..) 

· 液晶顯示（ITO，PR，Cell gap... ..） 

· 醫學，生物薄膜及材料領域等

· 油墨，礦物學，顏料，調色劑等

· 醫藥，中間設備

· 光學涂層，TiO2, SiO2, Ta2O5... .. 

· 半導體化合物

· 在MEMS/MOEMS系統上的功能性薄膜

· 非晶體，那米材料和結晶硅