Microsemi 1000C 超高性能晶體振蕩器頻率源
Microsemi公司的1000C通過zui為*的SC和BVA晶體加工技術,實現了超低的相位噪聲、優異的短期穩定性,和低老化率的特性。連續工作30天內即可達到標稱的老化率指標,運行時間更長可以獲得更加優異的表現,在連續加電運行數年之后,日老化率指標甚至低至1E-12。
1000C采用杜瓦隔熱技術的恒溫槽設計,在整個工作溫度范圍內均具有優異的溫度特性,其受到溫度變化影響所產生的zui大頻率改變<5.0E-9。此外,1000C還具有一個監測恒溫槽溫度變化的傳感器(監測靈敏度:10mV/℃)。
1000C提供高性能和超高性能兩個版本。超高性能版本,SSB相位噪聲可達:-130dBc@1Hz、-160dBc@100KHz,穩定后,短期穩定度可以達到:2E-13(0.1s ~ 100s)。高性能版本SSB相位噪聲也可達到:-120 dBc@1Hz、-160dBc@100KHz,穩定后,短期穩定也可以達到3E-13(0.1s ~ 100S)。
1000C采用低噪聲、高隔離度的緩沖放大器提供4路獨立的5MHz輸出。緩沖放大器隔離信號輸出盡可能不受負載變化的影響。而內部的電壓調節器則使得電源紋波所引起的影響降至zui低。伺服循環系統采用線性的電子頻控技術來進行良好的頻率調整,在壓控調整的范圍內,其調整線性優于5%。
1000C能夠滿足廣泛的軍事和工業環境的應用需求。其可以被應用在高精度的頻率計數器和綜合器、GPS接收機、微波倍頻器、相位噪聲校準測試設備、2級通信應用、雷達和戰術通信系統、安全通信系統、衛星地面終端以及航天飛行系統等。
主要特征:
- 低老化率:5.0E-11/天
- 低相位噪聲:-130dBc@1Hz,-160dBc@100kHz(超高性能)
- 4路獨立緩沖和電壓隔離的5MHz輸出
- 短期穩定度:0.1s至100s優于2.0E-13(超高性能)
- 線性電子頻率控制
- 快速啟動:15分鐘達到2.0E-8
- 可在0℃至55℃的寬溫環境下運行
- 電壓調節0V至10V
- 調節范圍6.0E-7
性能指標:
Microsemi 1000C 超高性能晶體振蕩器頻率源
- 頻率輸出
頻率:4路5MHz
幅度:1Vrms(2路),0.5Vrms(2路)
諧波:<-40dBc
雜散:<-80dBc
連接器:SMA
- 短期穩定性:(0.1-100s)艾倫方差
<3.0E-13 高性能,<2.0E-13超高性
- 日老化率:(工作30天后)
<5.0E-9(在整個工作溫度范圍)
SSB相位噪聲:
高性能 超高性能
1Hz -120dBc -130dBc
10Hz -145dBc -150dBc
100Hz -156dBc -157dBc
1,000Hz -160dBc -160dBc
10,000Hz -160dBc -160dBc
100,000Hz -160dBc -160dBc
- 溫度特性: <5.0E-9(在整個工作溫度范圍)
- 頻率調整:
壓控極性:正向
壓控范圍:0V-10V
負載特性: <5.0E-11,50Ω
- 供電電壓:
18-30VDC
功耗:啟動13W,運行3.5W
連接器:DB9
- 環境指標:
電壓特性:電壓改變+-1%,<1.0E-11
EMI敏感性(邊頻帶):<-100dBc,0.1Vrms,10Hz-104Hz
操作溫度:0℃至55℃
存儲溫度:-40℃至85℃
- 開機特性:15分鐘,至2.0E-8
- 恒溫槽溫度監控:10mV/℃
Microsemi 1000C 超高性能晶體振蕩器頻率源
- 規格尺寸:
尺寸:7.6cm*16.5cm*7.6cm(寬*深*高)
重量:<0.67Kg
:徐海輝
北京創宇星通科技有限公司(美國Microsemi鉆石代理商)
地址:北京市海淀區學院南路68號吉安大廈A座502室
Microsemi 1000C 超高性能晶體振蕩器頻率源