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SiC晶體基片

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  合肥科晶材料技術有限公司成立于1997年,是由一群來自麻省理工學院和加州大學伯克利分校的材料研究人員創辦的美國MTI公司與中科院合肥物質科學研究院合資興辦的高新技術企業。主要生產氧化物晶體(A--Z)和材料實驗室成套設備:包括“混料-壓料-燒料”(混料機、壓片機、箱式爐、真空管式爐)以及“定向-切割-研磨-拋光”(X射線定向儀、低速外圓鋸、金剛石線切割機、自動研磨、拋光機)。公司自主研發生產上百款不同規格尺寸、溫度、高溫高壓及快速升溫等產品,其中包括:箱式爐、氣氛爐、管式爐、井式爐、RTP快速升溫爐、高溫高壓爐、鍍膜機、清洗劑及新能源鋰離子電池研發等相關實驗室設備。現已成為氧化物晶體(A--Z)的主要制造商和材料研究實驗室設備的*,為科研工作者提供材料研究解決方案。產品設計*、性能優異,質量可靠,性價比高,環保節能、返修率低,遠銷到歐洲,美國,日本,德國等許多國家,廣泛應用于物理、化學、冶金、醫學、新能源材料研發等領域,受到客戶*好評。
 
  科晶公司秉承"以人為本、技術為導、誠信為基、積極創新"的經營理念,全力打造材料研發設備的品牌,竭力為科學進步和社會發展做出貢獻。
 

真空管式爐,高溫箱式爐,高速震動球磨機,RTP快速退火爐,高溫高壓爐,涂覆機,電池制備設備等

產品名稱:

碳化硅(SiC)晶體基片

技術參數:

晶胞結構

 六方

晶格常數

 a =3.08 ?      c = 15.08 ?

排列次序

 ABCACB  (6H)

生長方法

 MOCVD

方向

 生長軸或偏(0001) 3.5°

拋光

 Si面拋光

帶隙

 2.93 eV (間接)

導電類型

 N

電阻率

 0.076 ohm-cm

介電常數

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

熱導率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs


產品規格:

摻雜類型:6H N型 <0001> 表示專門摻N的摻雜濃度10E18-10E194H N型半絕緣
常規尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm

拋光情況:單拋或雙拋

表面粗糙度:Ra<10A

常規晶向 :<0001>現可供應<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,單拋 一種低電阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一種是高電阻率(>10^5 ohm.cm)


標準包裝:

1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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